VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断转载自电子发烧友网`
2012-07-09 15:27
;quot;集中"为一个电容，则从电感的等效电路可以看出在某一频率后所呈现的电容特性。三、滤波电感的磁饱和指的是什么？磁饱和后，电感的特性会有怎样的变化？ 答：用导磁材料做芯的电感才会磁
2019-06-28 17:32
，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大
2011-08-17 14:18
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。测量的条件：ID = 2
2016-09-26 15:28
阻小于稳态热阻，可以满足电流范围更大。这也表明，数据表中功率MOSFET的脉冲漏极电流额定值IDM对应着器件允许的最大的VGS，在此条件下器件工作在饱和区，即放大区恒流状态时，器件能够通过的最大漏极
2016-08-15 14:31
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 小弟在选择MOSFET型号，要求耐压300V左右，Id>7.5A，导通电阻越小越好，哪位大侠给推荐一款,万分感谢！
2012-08-17 15:19
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨
2017-01-09 18:00
