下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说明“变压器的饱和”。MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压
2018-11-27 16:47
LPC55xx 内部 DC/DC 转换器中电感器的最小饱和电流规格为 300mA，为什么是 300mA，流经电感器的实际电流是多少？ 1）这是LPC55xx的内部DC/DC转换器框图，在LX引脚
2023-05-17 07:27
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全导通，此时
2016-12-21 11:39
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使MOSFET处于饱和
2019-08-06 06:28
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使MOSFET处于饱和
2020-10-29 06:54
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。即MOS栅结构形成的沟道不但受栅极电压的影响，还受到漏-源之间电压的影响，由于沟道采用掺杂浓度不高的材料，其电阻率较高
2024-06-13 10:07
关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的电路软件道歉）： 尽管N-MOSFET显示为饱和，
2018-08-23 10:30
LPC55xx 内部 DC/DC 转换器中电感器的最小饱和电流规格为 300mA，为什么是 300mA，流经电感器的实际电流是多少？ 1）这是LPC55xx的内部DC/DC转换器框图，在LX引脚
2023-05-18 08:05
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43
