特性。 饱和管压降 饱和管压降通常指的是在晶体管（如BJT或MOSFET）的饱和区（saturation region）工作时，集电极（或漏极）和发射极（或源极）之间的
2024-09-19 14:47
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET
2023-02-17 18:11
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和
2024-02-18 14:35
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
通常采用MOSFET饱和的短路电流，使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。从图3的应用测试波形可以看到，在短路过程中，发生了连续多个短脉冲的冲击，每个短脉冲持续时间为2uS，满足器件单脉冲测试规
2018-04-25 09:00
别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 28 ns MOS管开关MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于MOSFET 为截止，
2020-03-09 15:36
下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说明“变压器的饱和”。MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压
2018-11-27 16:47
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下
2023-06-05 14:26
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33
电感是DC / DC电源中的重要组成部分。选择电感需要考虑很多因素，例如电感值、DCR、尺寸和饱和电流。电感的饱和特性常会被人们误解而带来麻烦。本文将探讨电感如何达到饱和、饱和
2022-12-14 09:19
