特性。 饱和管压降 饱和管压降通常指的是在晶体管（如BJT或
2024-09-19 14:47
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域，IGBT广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等设备中。 导通
2024-09-19 14:46
日本MITSUMI高输出NMOS LDO稳压器MM3501系列支持超低饱和压降。MM3501采用2路输入电源减少了电源转换器的导通电阻，因
2010-12-07 08:54
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和
2024-02-18 14:35
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压
2024-02-19 14:33
二极管压降是什么意思？什么二极管压降最小？压降最小的二极管型号 一、二极
2023-09-02 11:01
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
LDO（低压降稳压器） 的典型特性便是压降。因为它的名称以及其缩写由此而来。
2023-09-22 16:18
