本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
在实际的放大应用中，如果放大电路是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能
2018-08-22 15:39
在设计阶段进行电源完整性仿真分析，包括电源DC压降仿真、AC频域仿真、时域瞬态噪声仿真、电热仿真，以规避PCB设计中的电源风险。 本文介绍了采用芯和半导体HermesPSI软件进行电源DC压
2022-02-28 10:50
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子
2023-01-17 13:59
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下
2023-06-05 14:26
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种具有压降速率检测的低功耗压力变送器。该专利由特福隆（上海）科技有限公司申请，并于2016年10月5日获得授权公告。
2018-11-09 09:27
芯片压降的管理是确保集成电路（IC）稳定运行的关键，涉及单板（PCB）、封装、芯片内部等多个层面。具体的推荐指标数据因应用领域、工艺节点、芯片类型等不同而有所差异，但以下是一些通用的指导原则和参考指标。
2024-10-22 15:40
