康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚阈值区的时候，spectre
2021-06-24 06:56
LPC55xx 内部 DC/DC 转换器中电感器的最小饱和电流规格为 300mA，为什么是 300mA，流经电感器的实际电流是多少？ 1）这是LPC55xx的内部DC/DC转换器框图，在LX引脚
2023-05-17 07:27
书上说三极管工作在饱和区必须是集电结和发射结正偏，但实际应用中集电极接的是VCC，基极电压怎么能比集电极电压高。
2013-09-03 19:53
怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题？ 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使MOSFET处于饱和
2019-08-06 06:28
对于AB类输出，M3/M4需要在饱和区么？M3/M4两个管子的漏源压降有没有什么要求，VOUT的静态电压一般怎么给，非常感谢!
2021-06-25 07:04
如何去调节管子的参数使所有的管子都偏置在饱和区？Vds的变化是D点的电压变化引起的呢？还是S点的电压变化引起的？或者是其他的什么原因？
2021-06-22 07:47
关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的电路软件道歉）： 尽管N-MOSFET显示为饱和，
2018-08-23 10:30
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
