IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。
2024-02-18 14:35
特性。 饱和管压降 饱和管压降通常指的是在晶体管（如BJT或MOSFET）的饱和区（saturation region）
2024-09-19 14:47
如何快速区分放大区和饱和区呢？ 标题：快速区分放大区和饱和区的方法 引言： 在电子学中，放大区和饱和
2023-11-23 09:14
具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性区和击穿
2024-07-11 15:12
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
今天说的主题是：三极管的截止区、放大区、饱和区的判断。
2023-03-10 16:54
发射极正偏集电极反偏,三极管处于放大状态；发射极正偏集电极正偏工作在饱和区；发射极反偏集电极反偏工作在截止区；发射极反偏集电极正偏工作在反向放大状态。 按老师的方法是：先假设是在
2020-03-16 09:06
描述了其输出电压和电流之间的关系。它们可以被分为三个区域：截止区、线性区和饱和区。 1. 截止区： 当
2023-09-21 16:09
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于
2023-06-05 14:26
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是
2023-10-26 11:38
