三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于
2023-06-05 14:26
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和
2023-11-15 09:30
使用NPN晶体管的应用有很多种，最常见的电路其实就是用作开关，逻辑，以及放大应用，当我们将晶体管用作开关以及逻辑电路中时，此时三极管一般是在截止区和饱和区状态下工作。简单来说为了使得三极管
2022-04-25 13:43
当一系列环境和电路设计变量影响输出时，就很难确定具有负反馈电路的稳定性。任何计算错误都会成为怪异电路行为(如振荡和振铃)的温床。
2018-06-08 15:46
每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图，该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N沟道
2023-01-04 15:08
电感是DC / DC电源中的重要组成部分。选择电感需要考虑很多因素，例如电感值、DCR、尺寸和饱和电流。电感的饱和特性常会被人们误解而带来麻烦。本文将探讨电感如何达到饱和、饱和
2022-12-14 09:19
本文开始介绍了磁饱和的定义，其次分析了什么是磁饱和现象和变压器产生磁饱和原因，最后介绍了磁饱和后对电路的影响。
2018-02-28 10:17
在实际的放大应用中，如果放大电路是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能
2018-08-22 15:39
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2018-01-22 07:21
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2022-04-19 10:28
