的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MO
2016-12-21 11:39
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说明“变压器的饱和”。MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压
2018-11-27 16:47
书上说三极管工作在饱和区必须是集电结和发射结正偏，但实际应用中集电极接的是VCC，基极电压怎么能比集电极电压高。
2013-09-03 19:53
电流。 图5给出一个实际MOSFET在室温下的正偏置时输出特性曲线，即在不同的栅极电压情况下，MOSFET端电压与流经的电流的关系曲线族。图中是以实验点的形式给出，将线性区和过渡
2024-06-13 10:07
，μn为反型层中电子的迁移率，COX为氧化物介电常数与氧化物厚度比值，W和L分别为沟道宽度和长度。前面多次讲到功率MOSFET输出特征，三极管有三个工作区：截止区、放大区和饱和
2016-11-29 14:36
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线，即FBSOA曲线，那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢？这个曲线
2016-10-31 13:39
`书上说：三级管工作在饱和区的条件是，发射结和集电结都正偏。从内部结构上看：当集电结正偏时，发射区扩散到基区的电子在基区是属于少数载流子，而集电结正偏，应该是多数载流子运动，阻碍少数载流子运动，可为
2012-12-21 11:56
为什么只能在mos管的饱和区进行小信号的放大？？三极管区不能进行小信号的放大呢？？
2012-12-23 20:25
