IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电
2024-02-18 14:35
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
介绍几种快速、有效的方法，帮助读者迅速区分这两种模式。 一、理论基础的回顾 1. 放大区和饱和区的定义 2. 晶体管的工作原理 3. 饱和区与放大区的区别 二、基于
2023-11-23 09:14
具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性
2024-07-11 15:12
电感（Inductor）是电路中常见的被动元件之一，通过产生磁场来储存电能。在电感中，当通入的电流逐渐增大，电感能够承受的电流也会有限，当电流达到一定值时，电感就会进入饱和
2023-12-25 13:47
为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亚阈值
2023-09-21 16:09
饱和电感是一种特殊的电感元件，其设计目的是在电流达到一定数值时，保持电感值不变，达到电感器件饱和的状态。饱和电感的设计需要考虑多方面的因素，包括
2023-12-19 17:10
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
描述了其输出电压和电流之间的关系。它们可以被分为三个区域：截止区、线性区和饱和区。 1. 截止
2023-09-21 16:09
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。
2016-08-15 14:31
