三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于
2023-06-05 14:26
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和
2023-11-15 09:30
使用NPN晶体管的应用有很多种，最常见的电路其实就是用作开关，逻辑，以及放大应用，当我们将晶体管用作开关以及逻辑电路中时，此时三极管一般是在截止区和饱和区状态下工作。简单来说为了使得三极管
2022-04-25 13:43
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本
2018-06-11 07:51
MOSFET的SOA图。考虑将 10V/100A 的电压施加到 MOSFET 的条件。查看 SOA 图上的相应点，我们看到它介于 1ms 和 10ms 行之间。该图表明，如果外壳（片片）保持在25°C，则可以施加10
2023-01-04 15:08
当一系列环境和电路设计变量影响输出时，就很难确定具有负反馈电路的稳定性。任何计算错误都会成为怪异电路行为(如振荡和振铃)的温床。
2018-06-08 15:46
电感是DC / DC电源中的重要组成部分。选择电感需要考虑很多因素，例如电感值、DCR、尺寸和饱和电流。电感的饱和特性常会被人们误解而带来麻烦。本文将探讨电感如何达到饱和、饱和
2022-12-14 09:19
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子
2023-01-17 13:59
本文开始介绍了磁饱和的定义，其次分析了什么是磁饱和现象和变压器产生磁饱和原因，最后介绍了磁饱和后对电路的影响。
2018-02-28 10:17
在实际的放大应用中，如果放大电路是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能
2018-08-22 15:39
