VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
，Ids急剧上升其电流上升可能会引起MOSFET等的破坏确认变压器的饱和时，请确认Ippk等相关的实际状态视情况有可能必须重新进行变压器设计＜检查时的条件设定＞输入电压：最小值、最大值（电源启动时、常态
2018-11-27 16:47
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线，即FBSOA曲线，那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢？这个曲线
2016-10-31 13:39
`书上说：三级管工作在饱和区的条件是，发射结和集电结都正偏。从内部结构上看：当集电结正偏时，发射区扩散到基区的电子在基区是属于少数载流子，而集电结正偏，应该是多数载流子
2012-12-21 11:56
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
书上说三极管工作在饱和区必须是集电结和发射结正偏，但实际应用中集电极接的是VCC，基极电压怎么能比集电极电压高。
2013-09-03 19:53
电流。 图5给出一个实际MOSFET在室温下的正偏置时输出特性曲线，即在不同的栅极电压情况下，MOSFET端电压与流经的电流的关系曲线族。图中是以实验点的形式给出，将线性区和过渡
2024-06-13 10:07
)留有余量。由于V_DSS相对于温度具有正温度特性，因此必须考虑元件使用的温度环境条件。 R_DS(on)-V_DSS 关系饱和电压 V_DS(on) (=Id x R_DS(on)) 栅极驱动电压
2024-06-11 15:19
变化时，Crss电容变化非常小。如果有要求，可以测量0.8·VDS或VDS电压条件下Crss电容值。 问题10：功率MOSFET管的安全工作区SOA曲线如何确，可以用来作为设计安全标准吗？ 回复
2025-11-19 06:35
