IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。
2024-02-18 14:35
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
如何快速区分放大区和饱和区呢？ 标题：快速区分放大区和饱和区的方法 引言： 在电子学中，放大区和饱和
2023-11-23 09:14
为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亚阈值区是指晶体管工作状态下，栅极电压小
2023-09-21 16:09
）的不同，可以工作在三种主要状态：截止状态、线性区和饱和区。 1. 截止状态 工作状态描述 ： 当VGS小于MOSFET的开启电压（VGS(TH)）时，MOSF
2024-10-06 16:51
具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性区和击穿
2024-07-11 15:12
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
今天说的主题是：三极管的截止区、放大区、饱和区的判断。
2023-03-10 16:54
发射极正偏集电极反偏,三极管处于放大状态；发射极正偏集电极正偏工作在饱和区；发射极反偏集电极反偏工作在截止区；发射极反偏集电极正偏工作在反向放大状态。 按老师的方法是：先假设是在
2020-03-16 09:06
