关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说明“变压器的饱和”。MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压
2018-11-27 16:47
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
恢复时间，查看 数据手册 ，仪表运放似乎就不存在一个饱和恢复时间参数。 现在请问下，INA是不是本来就没有这个参数？还是INA就根本不允许饱和 ？饱和后有什么特性？
2024-08-07 06:24
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。即MOS栅结构形成的沟道不但受栅极电压的影响，还受到漏-源之间电压的影响，由于沟道采用掺杂浓度不高的材料，其电阻率较高
2024-06-13 10:07
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-
2018-11-27 16:40
，基本上变化不大，导通压降为ID的电流和导通电阻的乘积，这也是完全导通区。基于MOSFET的漏极导通特性曲线可以直观的理解MOSFET开通时，跨越关断区、恒流区（放大区）和可变电阻区的过程。恒流
2016-11-29 14:36
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
