IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和
2024-02-18 14:35
以上就是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态基本工作原理，还有必要关注MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。
2023-06-03 11:22
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
电感的饱和特性是一个非常重要的概念，它对于电感器的设计、应用和性能有着直接的影响。 电感的饱和特性定义 电感的饱和
2024-07-29 10:16
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
电感会因为磁心材料的不同，表现出不一样的磁饱和特性，即当电感内磁通量达到一定值时，就不会再增加。根据这一特性，人们将具有磁饱和特征的电感叫
2018-05-04 10:42
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
恢复时间，查看 数据手册 ，仪表运放似乎就不存在一个饱和恢复时间参数。 现在请问下，INA是不是本来就没有这个参数？还是INA就根本不允许饱和 ？饱和后有什么特性？
2024-08-07 06:24
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
