• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    /2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET频率理论上可以做到1MHz(1000KHz

    2012-07-06 15:56

  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    /2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET频率理论上可以做到1MHz(1000KHz

    2012-07-04 17:14

  • AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部MOSFET,开关频率由单个电阻决定

    AL9910通用高压高亮度LED驱动器的典型应用。 AL9910 / A高压PWM LED驱动器控制器为整流线电压范围为85VAC至277VAC的离线高亮度LED灯提供了有效的解决方案。 AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部MOSFET,开关

    2019-10-15 06:06

  • MOSFET教程

    MOSFET教程

    2020-05-24 09:22

  • 【资料分享】MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

    电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料,大家可以看看,对大家很有帮助!

    2021-03-29 16:18

  • MOSFET IGBT

    本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................

    2013-03-01 08:23

  • 选择正确的MOSFET

    过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。  基于开关性能

    2011-08-17 14:18

  • MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结

    也是不允许的。下面是我对MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的...

    2021-07-29 09:46

  • MOSFET基础讲义

    金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路

    2018-12-28 15:44

  • MOSFET焊接问题

    `MOSFET焊接问题`

    2012-08-14 21:06