与Id不成比例且Id(与未完全导通时一致)保持不变Vgs继续增大至Vcc。为什么在mosfet未完全导通与完全导通时，Id
2018-10-24 14:55
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 00:32 编辑 新手请教个问题为何增强绝缘栅ＭＯＳ管加夹断后还会有漏源电流，而且此时栅极是如何控制它的？
2013-07-04 19:05
不变（A-B垂直横轴），VGD的电压为VGS-VDS，为负压，就是D的电压高于G。当ID电流达到负载的最大允许电流ID(max)时，也就是图3中的B点，MOSFET进入
2016-11-29 14:36
基于MIC5013 MOSFET预驱动器的基本断路器/开关配置
2020-05-22 15:11
某一电压Up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使uDS仍存在，也不会产生漏极电流，即iD=0。UP称为夹断电压或阈值电压，其值通常在–1V–10V之间N沟道耗尽型MOSFET
2018-08-07 14:16
刚开始芯片是可以烧录化学ID的，但是我下载官方.srec（bq28z610_v0_19_build_24.srec）文件后，在烧化学ID时遇到以下错误：Firmware version
2019-02-25 11:17
信号关断，VGS电压从VCC以指数关系下降，ID电流、VDS电压维持不变,在t6时刻，VGS降为米勒平台电压，这个阶段结束。在实际应用中如连续模式CCM工作的BUCK变换器，电感电流在开通时刻和关断
2017-03-06 15:19
在POWER MOSFET数据手册上，有些手册上只标明了Silicon limit，而且这个值往往很大。请问，在实际应用时，应该参照哪一个Id值。
2013-12-17 10:35
外部外部时钟失效后进入NMI中断后就会进行整机重启？进入NMI中断后MCU一定会重启吗？进入NMI中断后在不重启的情况下有没有办法让外部时钟再恢复？
2019-05-10 04:09
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压
2018-11-28 14:28
