VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。
2016-08-15 14:31
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流
2016-10-31 13:39
目录一、变压器感应电势公式中“4.44”的由来 胡慈丹二、电感磁饱和的原因与理论分析1、关于BH2、电感磁饱和的原因3、电感量的大小与饱和的理论分析（开关电源的设计之四、电感之2、电感量的计算）4
2021-07-07 07:20
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
` 一、滤波电感饱和后会怎么样？会有哪些反应变化呢！深圳岑科电感厂商今天给大家讲解以下几点！一、什么是滤波电感？ 滤波电感是开关电源中常用的元件，由于它的电流、电压相位不同，所以理论上损耗为零
2019-06-28 17:32
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
