商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。
2025-03-12 15:53
PMST功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数
2022-07-14 16:35
static属性一般是在编译的时候就已经分配了内存，并被这个类的所有实例共享， 也就是在仿真时刻0之前就已经完成了静态属性的内存分配。 但是，参数化类中的静态属性可能有所区别。
2022-12-02 09:17
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。
2023-04-26 17:52
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
IGBT静态参数测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等
2023-09-19 14:57
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要
2025-02-02 13:48
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
今天和大家分享一下MOSFET的设计参数，MOSFET在电路设计中应用非常广泛，尤其是模拟电路中，各种电源变换，电机控制中都会看到MOSFET的身影，而
2023-09-13 09:25
