MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
2024-10-29 10:45
具有高电流要求的应用，例如电池隔离和电机驱动，需要仔细考虑设计要求。了解电路设计中的最大额定值对于从功率 MOSFET 获得最佳性能并在所需的工作寿命期间保持器件可靠性非常重要。不得超过最大额定值，以保证设备的使用寿
2022-08-03 08:04
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，
2021-02-08 17:38
SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的这一特性，在
2018-06-15 10:09
各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动
2024-12-19 11:39
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是
2021-03-07 10:47
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，
2024-10-16 13:52
本文介绍并讨论分析一下作者在研制开关电源中使用的几种结构简单可行的MOSFET管驱动电路。##隔离的驱动电路。
2015-04-01 09:44
