功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
在电子工程领域，场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和电路中。其中，功率MOS场效应管（MOSFET）因其独特的性能
2024-05-31 17:30
功率器件作为电力电子装置的核心器件，其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题，雪崩能力其中一个很重要的指标，如何理解雪崩，单次雪崩和重复雪崩是如何定义的，以及
2023-02-06 13:54
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效
2018-07-21 09:20
