不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量
2017-09-22 11:44
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
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2012-08-15 14:36
防雷电路中的保护元器件保护元器件分类与比较多级分级防护电路
2019-04-03 13:42
）确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 （2）TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入
2020-08-02 07:36
一般的产品用的都是直流电源，像手持产品多是5V电源，一些小设备也是5V，大一些的设备12V的稍多一些，车载电子产品有12V和24V两种电源。 这些电源输入的防护电路主要包括过压保护，过流保护，防反
2021-11-17 08:27
防护电路中的元器件。
2016-12-07 15:16
本规范规定了防护电路的设计原则。本规范适用于通信产品各端口的防护电路设计。通信产品在应用的过程中，由于雷击等原因形成的过电压和过电流会对设备端口造成损害，因此应当设计相
2019-04-03 11:49
最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。接下来，我们使用一款简单的降压电源来描述这些权衡过程。电源管理系统的浪涌防护解决方案浪涌保护是依据被保护产品而设计的过压、过流
2020-07-21 15:27
