电子发烧友

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率

2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将瞬变箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平

2022-06-21 14:41 常州鼎先电子有限公司 企业号

LZC3106 是一款高性能、高精度谐振模式双端 控制器，专用于 LLC 半桥谐振电路的控制应用。 它提供 50%的互补占空比：高压侧开关和低压 侧开关在完全相同的时间内以 180°反相

2023-09-14 12:11 腾震粤电子 企业号

，RF天线接口需要进行静电浪涌防护。那么，如何为RF天线接口安全保驾护航呢？接下来，电路保护器件厂商及保护方案服务提供商东沃电子分享：RF天线接口静电浪涌保护方案，如

2021-10-29 15:08 东沃电子 企业号

一、概述PN6795D开关电源芯片方案集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D开关电源芯片方案为

2024-12-12 09:23 东莞市中铭电子 企业号

PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为

2021-11-08 16:16 深圳市骊微电子科技 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

高度集成化、模块化且导通电压精准度高、响应速度快、钳位电压低，让后端的电路得到有效的防护，满足 IEC61000-4-2 Level 4 静电放电及 IEC 610

2022-07-20 15:00 深圳市优恩半导体有限公司 企业号