不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量
2017-09-22 11:44
MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET
2023-05-15 16:17
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数
2010-12-30 10:12
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30
【科普小贴士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2018-09-05 15:37
