MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET
2023-05-15 16:17
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 14:47
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数
2010-12-30 10:12
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30
自举电路，就是每路的高压侧MOSFET用自举电容供电，整个电路（半桥或者H桥或者三相桥）的
2023-01-30 15:17
【科普小贴士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46
什么是自举电路？自举电路的特点 自举电路是一种应用于放大器
2023-09-17 09:44
