不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量
2017-09-22 11:44
CPU-供电的MOSFET-自举驱动电路设计
2016-06-21 18:21
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
OTL功率放大器中要设自举电路,图18-9所示是自举电路。电路中的C1,R1和R2构成
2021-07-05 06:01
电子发烧友总结了以“ 自举电路”为主题的精选干货，今后每天一个主题为一期，希望对各位有所帮助！（点击标题即可进入页面下载相关资料）CPU供电的MOS管自举电路设计
2019-04-22 14:46
自举电路升压驱动的电路设计
2018-12-05 16:31
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2012-08-15 14:36
自举电容的说明在BUCK电路中，经常会看到一个电容连接在芯片的SW和BOOST管脚之间，这个电容称之为自举电容，关于这个电容，在下面对该电容进行说明。图1 LT3840应用电路
2021-11-12 08:00
EG3012自带自举电路，并个电容，二极管集成在芯片里面，mos是IRFR3607，参数见图，控制方式H-PWM-L-ON; H-ON-L-PWM;H-PWM-LPWM（pwm互补模式），任意情况下
2021-07-29 06:09
