不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量
2017-09-22 11:44
CPU-供电的MOSFET-自举驱动电路设计
2016-06-21 18:21
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2018-09-05 15:37
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
自举电路是在输出开关上侧晶体管使用Nch MOSFET时所必要的电路。最近许多电源IC都搭载该电路，因此在评估电源
2018-11-29 14:16
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
要求是怎么样的？ 在ON Semiconductor的一个文档里，对于自举电路进行了详细讲解，下面就让我们一起跟着学习下吧。 1. 介绍 本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能
2025-03-03 11:52
有射极跟随器衍生出来的自举电路，是怎么得出这个名字的，是否和变频器单电源供电的自举驱动有相似之处？在这个电路中，所谓的自举
2024-01-11 15:07
OTL功率放大器中要设自举电路,图18-9所示是自举电路。电路中的C1,R1和R2构成
2021-07-05 06:01
MOSFET的失效机理至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效
2022-07-26 18:06
