功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩
2009-07-06 13:49
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩
2024-03-26 16:12
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、
2023-12-30 17:06
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？
2023-11-24 14:15
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是
2025-05-15 15:32
在博文 利用LED来作为单光子雪崩检测器[2] 中介绍了 油管上Robotix的LED单光子现象[3] 。 对于LED反向SPAD效应之前没有注意过， 下面通过实验来观察手边 一些LED反向击穿过程是否会出现单光子脉冲现象。
2023-01-31 17:29
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将
2023-11-24 14:20
