在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有
2024-02-23 09:38
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26
雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标，那么什么是雪崩耐量呢？即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐
2024-08-15 16:29
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
半导体中的雪崩效应是引起pn结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结，其空间电荷区内有很强的电场。
2018-08-20 10:04
