电子发烧友

型号：VO734 品牌：

要求》3、JJG 795-2016 《耐电压测试仪》二．适用的试验方法标准1、GB/T1695-2005《硫化橡胶工频击穿电压强度和耐电压的测定方法》2、

2022-06-13 10:00 武汉微欧电力设备有限公司 企业号

型号：KD2670J 品牌：

仪器概述KD2670J数显电压击穿测试仪作为武汉凯迪正大电气有限公司开发用于测量耐压强度的关键电气安全设备，能够直观、精准且高效地测定各类材料的击穿电压与漏电流等关键电气性能指标，同时可作为高压源

2025-03-17 16:00 凯迪正大 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>、IGBT、DIODE、BJT 品牌：广电计量

产品范围：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块测试项目：静态参数符号Drain to Source Bre

2022-05-25 14:26 广电计量 企业号

型号：RF-<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>-1000V 品牌：

RF-MOSFET-1000V型号简介      RF-MOSFET-1000V是Microchip推出的一款晶体管，这款晶体管拥有 1000V 的漏源击穿

2024-12-02 11:52 立年电子科技 企业号

型号：RF-<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>-170V 品牌：

RF-MOSFET-170V型号简介      RF-MOSFET-170V是Microchip推出的一款晶体管，这款晶体管拥有高达 170V 的漏源击穿电压

2024-12-02 14:56 立年电子科技 企业号

型号：全系列 品牌：

雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益，具有比PIN光电二极管更高的信噪比（SNR），更快的时间响应，更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。我司生产的高增益高速响应的硅雪崩光电二极管，性能优越，广泛应用于微光探测、光学测距等

2022-07-22 16:35 恩弼科技 企业号

型号：FMMT411Q 品牌：

FMMT411Q  产品简介DIODES 的FMMT411Q这是一款硅平面双极晶体管，专为在雪崩模式下工作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边沿的高电流脉冲。产品规格

2023-10-18 12:38 立年电子科技 企业号

型号：BL6N120-A 品牌：上海贝岭

描述BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。特点♦ 快速切换♦ 低Crss

2023-05-16 16:28 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

型号：STD2000 品牌：

分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件静态参数测试仪系统。测试Si

2024-07-30 17:11 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：FMMT411FDBWQ 品牌：

FMMT411FDBWQ   产品简介DIODES 的FMMT411FDBWQ这是一款硅平面双极晶体管，专为在雪崩模式下工作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有

2023-10-18 12:24 立年电子科技 企业号