求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42
什么是电容击穿？电容器被击穿的条件是什么？电容击穿是开路还是短路？电容击穿的原因是什么？如何避免介质击穿？
2021-06-18 09:59
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？
2021-02-02 07:46
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。在网上有看到大概两种说法：1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于
2018-12-21 10:46
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24
现在怀疑板子上的电容被击穿了，请问电容被击穿是开路还是短路？谢谢
2016-11-29 21:04
`请教击穿电压与line to shape spacing的关系？板材为普通FR4板材，击穿位置位于表层覆铜区域。如下图：基本断定由于所用新星电源产生较高的电压，击穿电路板，并造成95%以上相关负载
2019-02-18 10:36
器件参数：所选择的TVS管为5KP54A国产，其反向工作电压为54V，击穿电压为63V，反向峰值电流为57.1A(10uS/1000uS)，钳位电压值为87V,tw = 1ms;工作条件：误加72V,12mS电压，tvs管直接短路失效，求原因？谢谢
2017-05-31 21:30
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2018-09-05 15:37
