功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩
2009-07-06 13:49
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩
2024-03-26 16:12
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、
2023-12-30 17:06
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将
2023-11-24 14:20
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？
2023-11-24 14:15
为什么PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高的情况下，击穿电压变化方向相反？ PN结是半导体器件中最基本的组成部件之一，广泛应用于电力、电信、信息处理等领域。PN结的
2023-09-21 16:09
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是
2025-05-15 15:32
电流。但是，故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时，二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型：（a）齐纳击穿和（b）雪崩击穿。
2024-05-05 14:38
