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2012-08-15 14:36
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被
2018-03-28 10:17
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 我这有一个BTA06的双向可控硅电路，负载接的是电机，用了一段时间后发现可控硅很容易击穿，之后电路就一直处于导通状态，分析了很久没发现什么问题，求各路高手帮忙一下，到底哪里设计错了？另外，一直弄不明白R0和R4有什么用。。。
2012-10-22 20:18
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击
2022-01-03 07:30
在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极
2017-06-01 15:59
LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应
2013-06-03 12:57
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
`今天修了个动力源4850B，两个桥被击穿了，更换3510`
2012-02-12 22:12
