功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通
2024-02-25 16:16
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
功率器件作为电力电子装置的核心器件，其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题，雪崩能力其中一个很重要的指标，如何理解雪崩，单次雪崩和重复雪崩是如何定义的，以及
2023-02-06 13:54
MYG05K规定通过的电流为0.1mA，MYG07K、MYG10K、MYG14K、MYG20K标称电压是指通过1mA直流电流时，压敏电阻两端的 电压值。在产品中使用特别是需要插拔的器件这样会更快促使压敏电阻损坏
2019-09-06 09:48
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05
特点，在电源管理、电机驱动等领域发挥着重要作用。然而，在使用功率MOSFET时，一个不可忽视的问题就是雪崩电流（Avalanche Current）。本文将对场效应管的雪崩电流进行深入的解析，探讨其产生原因、影响因素
2024-05-31 17:30
Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏
2023-01-30 10:48
