有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14
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2012-08-15 14:36
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗？这里面还有什么被忽略的内容？细节决定技术，今天研究功率MOSFET数据表中BVDSS所隐藏的一些有意思的细节
2016-09-06 15:41
电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压
2013-03-11 10:49
率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流IAS的额定值，记得当时作者就看得云里雾里、一脸茫然，后来一直想弄明白这些电流的定义
2016-08-15 14:31
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2020-5-6 08:47 编辑 该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低
2020-04-30 15:13
