有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2018-09-05 15:37
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
SOA是“Safety Operation Area”的缩写，意为“安全工作区”。・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。・有五个SOA的制约要素，不满足其中任何一个要素的要求都有可能会造成损坏
2022-07-26 18:06
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏
2009-07-02 04:08
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏
2009-07-02 04:09
小弟是电子初学者，经常在设计电路时MOSFET管出现损坏，请问造成MOSFET管损坏有哪些原因？
2019-02-19 10:15
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14
我迫切需要分析 st 半导体的 mosfet 及其损坏原因。有人能告诉我是否可以在德国或至少在欧洲的 ST 内部对损害及其可能原因进行分析和评估吗？还是组件必须运到远亚？
2023-01-31 07:55
