辐射剂量仪可以用在核电在，物理实验室，医疗机构作为电子剂量计指示器。和ASPDC-21装置配合可以组成自动剂量控制系统。
2020-03-16 09:00
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而
2021-06-24 08:01
，进而使SCR导通。 实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57
的可靠性和使用寿命；应用在战略武器中，将能提高其效能和突防能力。空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量（TID）效应和单粒子效应（SEE）；核辐射环境尤其是核爆炸
2019-07-02 07:10
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、
2023-02-27 10:02
引起的，与频率（f）成正比。改善频率特性（在这种情况下，质子辐照）的技术使得降低损耗功率的动态分量成为可能。然而，它以增加静态成分为代价来实现它，虽然前者单调减少，但后者随着辐射剂量的增加而单调
2023-02-22 16:53
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，
2024-08-08 06:58
不同的工艺角和温度下，晶体管的阈值电压变化，反相器的翻转电压有较大偏差，从而翻转时对应的电源电压偏差也较大，该指标不满足设计要求。想问问大家知道有没有什么补偿电路可以进
2021-06-25 07:26
