为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而
2021-06-24 08:01
，进而使SCR导通。 实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，
2024-08-08 06:58
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、
2023-02-27 10:02
由于某种原因，驱动PFC的PWM电平幅值只有8V，驱动电流不担心，用这么低的电平能否彻底开通MOSFET？虽然说现在的MOSFET貌似开启阈值都很低
2018-12-27 09:59
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34
的时间是和米勒平台开始的时间一致？不应该是达到阈值电压后电流开始上升，一段时间后电流达到最大，此时米勒平台才开始吗？第二个问题是米勒平台结束后，电流Id才达到最大，不应该是米勒平台形成的时候，电流已经稳定在最大值了吗？是不是我的电路原理图或者元件参数设置的有问题才会出现这个情况？
2019-06-04 20:39
:0] 中的值如何映射到电压。我假设设置 ADC_HTR 中的所有 12 位将等于可能的最高阈值电压，但我们如何知道该电压是多少？设置 ADC_LTR 中的所有位是否意味着低阈
2023-01-13 08:05
