电路中的功率开关和控制应用。它具有-40V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±20V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth)为-1.7V,适合低电压操作
2024-11-18 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
设计用于高压、高电流应用场合,提供卓越的功率开关性能和可靠性。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth
2024-11-18 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
处理高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有900V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth)为3.5V
2024-11-18 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有700V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth)为3.5V,确
2024-11-18 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
处理高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth)为3.5V
2024-11-18 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
和高效能能力。具有60V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.7V的门限电压(Vth),在10V栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON))为27毫欧。
2024-11-26 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N7002T-NL-VB SC75-3** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用槽沟道(Trench)技术制造。该器件具有低漏极电阻和低门限电压,适用于低压
2024-07-12 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号
通电阻和良好的导通特性。漏源电压(VDS)为20V,栅源电压(VGS)为±12V,门限电压(Vth)为0.5~1.5V。在不同栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON
2024-11-28 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N7002A-VB SOT23-3** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用槽沟道(Trench)技术制造。该器件具有低漏极电阻和低门限电压,适用于低压开关
2024-07-11 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号