对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
源电压在12V左右，以保护Q1；3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况结论：通过在开关g
2021-12-30 07:40
Ls上产生的电压VLs=di/dt*Ls=500A/us*10nH=5V. 一旦门极震荡电压在阀值范围内，MOSFET会
2018-12-10 10:04
MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又
2019-08-20 04:35
R1=R2,忽略运放失调电压，V1发射极电压是多少
2019-07-13 10:01
上一节我们讲了由NMOS与PMOS组成的CMOS，也就是一个非门，各种逻辑门一般是由MOSFET组成的。上图左边是NMOS右边是PMOS。上图两图是非门两种情况，也就是一个CMOS，输入高电压输出
2023-02-15 14:35
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4V电压
2023-12-17 11:22
MOSFET开通过程中，漏极电流ID迅速上升，较高的电流变化率在功率源极杂散电感Lsource上产生正压降LSource*（dID）/dt（上正下负），该电压降使得
2023-02-27 16:14
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET
2023-02-20 17:21
，MOSFET Q1门极驱动信号关断，谐振电感电流开始流经MOSFET Q2的体二极管，为
2019-09-17 09:05
