在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的
2022-06-06 09:57
保护半导体设备和电子设备是任何稳健的电源管理和电路设计的关键。在本文中，我们将重点介绍非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，这些二极管非常适合用于硅碳化物(SiC)MOSFE
2025-03-27 11:48 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
在由晶闸管构成的整流电路中，晶闸管门极触发电路的作用通常是根据直流控制电压的大小决定触发角a的大小，从而起到调节整流输出电压的作用。因为不同的触发角对应于不同的电源
2020-08-25 17:54
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）优点的功率半导体器件，因其具有低开关损耗、大功率容量和高开关速度等特点，在交流
2024-04-10 11:11 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压
2021-06-12 17:12
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏
2024-09-18 09:52
一个良好的功率电路不仅由静态器件如SiC和GaN MOSFETs组成，还包含了门极驱动器。这是一个独立的元素，位于电子开关之前，确保以最佳方式为其提供驱动能量。实际上，不能仅仅将方波或矩形波直接
2023-12-24 11:30 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，这不仅会影响电路的稳定性，还可
2024-05-30 15:49
