对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
源电压在12V左右，以保护Q1；3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况结论：通过在开关g
2021-12-30 07:40
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
1.直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;
2018-11-16 11:43
有时候我们搭电路时只需要实现一个简单的逻辑，但用一个4门的集成电路来设计未免过于昂贵与占面积，而且IC里没用到的门电路又必须拉高或拉低，相当烦琐。鉴于简化电路的需要我整理了一套用三极管、二极管、电阻
2019-07-08 10:36
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏
2011-08-17 14:18
）.9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）.门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门.开路的TTL、CMOS、ECL
2016-08-23 21:39
MOSFET的热阻特性所以，连续漏极电流ID是基于硅片最大允许结温的计算值，不是一个真正的测量值，而且是基于TC=25℃的计算值。RqJC，TC，这里的C: Case，是裸露铜皮，
2016-08-15 14:31
IGBT没有体二极管或者IGBT内部的续流二极管坏掉了。IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管
2021-03-02 13:47
