如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的
2022-06-06 09:57
PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。
2020-08-13 15:31
在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分。然而,其他一些
2011-12-27 11:40
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又
2019-08-20 04:35
和门极连接中存在不可避免的寄生电感。当MOSFET从导通状态切换到截止状态或者反之时，流过这些寄生电感的电流发生急剧变化，根据V = L（di/dt），会在MOSFET
2024-06-09 11:29
对导通损耗的影响 无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极
2024-05-11 09:11
这个时候IGBT还没有开通，由于开通瞬态IGBT输入电容相当于短路，因此门极电流Ig快速上升至峰值电流，随后门极电容会逐渐被充电至开启阈值电压Vge,th，米勒平台Vg
2022-04-26 15:14
方波电压形成器
2008-08-14 23:11
