忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或
2021-06-12 17:12
在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门
2022-06-06 09:57
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源
2019-07-03 16:26
五极管,也称为五极真空管或五极电子管,是一种在电子学和无线电工程中使用的电子管。它由五个电极组成:阴极(cathode)、控制栅极(control grid)、帘
2024-09-24 14:34
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏
2023-01-30 17:17
栅极驱动IC(Gate Driver IC)和源极(Source)是两个在电子和电力电子领域中常见的概念,它们在功能和应用上有着明显的区别。 栅极驱动IC(Gate Driver IC) 定义与功能
2024-09-18 09:45
碳化硅(SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展,开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高,设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路,确保
2025-06-24 09:20
更高系统效率和功率密度,是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的,半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07