在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总
2017-01-13 15:14
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
描述PCB加提罗用于制作 aeg 气枪的 mosfet 栅极的 PCB。
2022-09-12 06:46
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1
2021-12-30 07:40
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
