在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总
2017-01-13 15:14
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏
2021-01-27 07:59
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对
2023-04-19 06:36
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28
设计。 01 TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 图1 传统TO-247-3封装的MOSFET类型 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如图1所示，其管脚由栅极、漏
2023-02-27 16:14
