有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。功率MOSFET的开通和关断过程原理（1）：开通和关断过程实验电路（2）：MOS
2021-09-05 07:00
理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。七、功率
2021-08-29 18:34
用于查找交流波形的平均电压的过程与用于查找其RMS值的过程非常相似，这次的区别是瞬时值不平方，并且我们没有找到求和平均值的平方根。周期波形的平均
2020-09-23 11:21
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21
，英飞凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的开发工作。 与OptiMOS™3技术直接比较，结果表明，新一代MOSFET不仅可极大地降低通态电阻RDS(on)，还可大幅改进开关特性。 阻断
2018-12-06 09:46
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
tinyswitch-4的通态漏源电压的计算方法，在手册里面有通态电阻了，还差哪个电流呢？我做适配器用的，谢谢
2015-05-25 10:07
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00
INA233能检测平均电流，平均电压和功率因数检测吗？
2024-08-12 06:19
