/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的
2012-07-04 17:14
如何选择适合应用的MOSFET驱动器的详细中文资料概述资料来自网络
2019-11-08 22:52
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
AL9910通用高压高亮度LED驱动器的典型应用。 AL9910 / A高压PWM LED驱动器控制器为整流线电压范围为85VAC至277VAC的离线高亮度LED灯提供了有效的解决方案。 AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部
2019-10-15 06:06
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中
2021-07-27 06:44
。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定
2011-08-17 14:18
，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。 IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。 IGBT不适合高频应
2022-06-28 10:26
电压频率转换器 压频率转换器的作用是根据输入的电压值，产生出相应的脉冲。当输入电压为正时，输出正向脉冲
2009-05-07 00:07
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET
2016-10-10 10:58
