mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的频率，用mosfet和基于dds芯片产生的pwm控制信号可以完成这样的
2016-04-21 16:01
，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。 IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。 IGBT不适合高频应
2022-06-28 10:26
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21
请问如何通过MOSFET上的导通时间tdon，上升沿时间tr，关断时间toff，下降沿时间tf 来确定 MOSFET 的开关频率大概是多少？
2019-01-09 18:29
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中
2021-07-27 06:44
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的
2012-07-04 17:14
