沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11
在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移率在本篇文章中，我们将采用
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和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的，多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射，从而使载流子迁移率减小，器件性能降低。
2025-05-15 17:43
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多，但输出信号基本为电信号，且类型单一的问
2023-11-08 09:14
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和温度变化也对晶体管性能产生影响。因此，在模拟IC设计过程中，需要考虑并解决这些非
2023-11-16 16:15
研究人员制备出了小周期三角形的反点晶格，用以显著抑制加工扰动对电子的影响，从而在所生长的QWs上保持了高质量状态。这一成就使观察到受交换库仑相互作用的集体鞍点自旋激子成为可能，所观察到的库仑交换相互作用能量与M点处狄拉克带的能隙相当，这表明准粒子相互作用与AG势能之间的相互影响。
2018-09-11 17:01
尽管硅是世界上最知名和最广泛使用的半导体，但它的电子迁移率却处于中低范围（~1,000 cm2/(V·s)）。相比之下，化合物半导体材料具有极高的电子迁移率——InSb 的电子迁移率高达 80,000 cm2/(V·
2023-07-06 10:05
其中，沟道电阻Rch可以由下式描述。式中，L是沟道长度，W是沟道宽度，μn是电子迁移率，Cox是栅极氧化层电容，VGS(on)是导通状态栅极电压，VGS(th)是器件的阈值电压。
2023-10-13 16:22
